戳破习近平称半导体行业“卡不住”的世纪谎言(组图)

发表:2025-12-18 20:31
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习近平的科技豪言与现实枷锁有巨大反差。
习近平的科技豪言与现实枷锁有巨大反差。(图片来源:公有领域 Pixabay)

【看中国2025年12月18日讯】(看中国记者翁友德综合报导)2025年,全球半导体产业的技术竞赛已进入白热化阶段,制程微缩不断刷新极限。在这个科技决定国运的时代,中共最高领导人习近平在中央经济工作会议上公开宣称,中国的科技创新成果证明“对我们‘卡脖子’是卡不住的”,并强调在贸易战中“打出了中国人的志气骨气底气,彰显了我们的硬核实力”。然而,这番话在极度依赖全球顶尖设备与关键材料的半导体领域,却与中国晶圆代工龙头中芯国际所面临的残酷现实形成了巨大的、甚至是讽刺性的反差。

事实证明,一场由EUV微影设备和日本高阶半导体材料构筑的技术绞索,正紧紧勒住中国半导体产业的咽喉。这场看不见硝烟的科技战,正从根本上挑战中共“举国体制”下追求的“自主可控”神话,并将其技术瓶颈与高昂成本无情地反映在企业的利润表与客户的良率上。

一、EUV微影设备的“光刻天堑”:中芯的技术瓶颈与无效追赶

先进半导体制造的核心瓶颈,首推荷兰ASML公司独家掌握的极紫外光(EUV)微影设备。由于美国对先进制程设备的严格出口管制,中芯国际至今无法取得EUV,这直接导致其在技术世代上与全球领先者拉开了巨大的差距。

1.DUV多重曝光的权宜之计

由于无法取得EUV设备,中芯被迫以现有的深紫外光(DUV)曝光机,搭配多重曝光(multi-patterning)的方式推进制程,试图达到7纳米(N+2)的精细度。

1.1.DUV曝光波长为193nm,远大于EUV的13.5nm。要用长波长光刻出极细的7纳米线宽,就必须将原本可由EUV一次完成的复杂电路图案,拆分为多次曝光、多次蚀刻的繁琐步骤。

1.2.这种做法不仅显著拉长了制程时间(Cycle Time),也同步提高了单位的制造成本。更为关键的是,每增加一次曝光和蚀刻步骤,就增加了一次引入缺陷(Defect)的风险,对良率(Yield Rate)控制造成致命性压力。

2.残酷的良率现实与经济不可行性

技术上的无奈,直接反映在产能的经济性上。市场普遍估计,中芯国际7纳米制程在2024年的良率约接近40%。

2.1.业界普遍认为,至少需达到约60%的良率,先进制程才具备大规模量产的经济可行性。40%的良率意味着每片晶圆中,就有60%芯片因缺陷而报废。

2.2.结果是,中芯7纳米产线至今仍面临良率偏低与可靠性不足的问题,产量难以稳定拉升。在巨大的资本支出和低效能的制程下,先进制程在经济帐上始终“算不过来”,成为侵蚀获利的成本黑洞。

3.技术落差在利润表上的放大效应

这种技术与制程能力的巨大差距,并非抽象概念,而是直接反映在企业的获利结构之中。

3.1.根据最新财报对比,2024年台积电毛利率高达56.1%,净利率达40.5%,显示其在先进制程上的效率与定价能力依然强劲。

3.2.相较之下,中芯国际2024年毛利率仅18.1%,净利率骤降至6.1%,远低于2023年的14.3%。这与中芯承接华为7纳米芯片订单,在良率偏低、制程高度复杂的情况下,持续受到成本压力侵蚀获利空间高度相关。

3.3.在2025年这个时间点,当台积电已准备为苹果与辉达等客户量产2纳米制程芯片、技术世代再向前推进约三个节点时,中国仍在为7纳米制程的经济性与稳定性反复拉锯。中芯的表现,更像是一家在高资本支出与低效率制程双重夹击下勉力支撑的重资产制造商,其营收成长,掩盖不了结构性的利润差距。

二、EUV曝光机难做的世纪挑战 ASML为何称霸市场?

为什么EUV曝光机成为中国半导体产业无法绕开的“卡脖子”技术?其制造难度之高,集合了当今人类科技的数十年积累与数百亿美元的研发投入。

1.极致复杂的技术集合体

EUV曝光机之所以难以复制,在于它是一个极度复杂、涉及多个尖端领域的系统工程:

1.1.极紫外光(EUV)光源的产生:EUV光波长为13.5nm,极难产生。它需要高功率的二氧化碳雷射,以每秒五万次的频率,轰击微小的锡(Tin)液滴。锡液滴被雷射击中瞬间等离子化,从而发出EUV光。这项精密的光源技术壁垒极高,已被ASML与其伙伴垄断。

1.2.全反射光学系统:在13.5nm波长下,光线会被任何玻璃镜片吸收。因此,EUV光不能穿透,而必须依赖由40至80层钌(Ruthenium)与钼(Molybdenum)交替组成的多层反射镜来反射。这些反射镜的表面精度要求极致,误差需小于一个原子层。

1.3.高真空环境与精密控制:EUV光会被空气吸收,因此整个光路系统必须在超高真空环境下运行。同时,极度精密的测量与控制系统(例如来自美国的关键零组件)必须确保镜片与晶圆台的定位精度误差极小。

2.时间、资金与全球供应链的护城河

ASML之所以能称霸市场,并非单一技术的突破,而是数十年持续投入和全球化整合的结果。

2.1.巨额投入与长期积累:ASML从65nm到3nm以下制程的EUV技术,投入了超过20年、超过400亿美元的研发与资本支出。这种高成本、高风险、且没有人敢保证会成功的初期开发,建立了极高的进入壁垒。

2.2.全球化供应链的管理:ASML实际上是全球顶尖技术的整合者。它精准管理着全球数千家顶尖供应商,确保德国蔡司(ZEISS)的光学镜组、美国供应的关键零组件等,都能完美整合。这种极度复杂的全球供应链是中国短时间内无法复制的。

3.制程限制与国产设备的巨大差距

由于无法取得先进EUV设备,中国企业目前最高只能达到7纳米制程(且良率极低)。中国现有国产曝光机技术水平约停留在65纳米,远落后于国际大厂。因此,曝光机无疑是中国半导体产业的“卡脖子”核心技术,短期内难以突破,严重限制了其在高端芯片制造上的能力。

三、良率不佳的恶果:客户的损失与AI芯片业务的腰斩

中芯国际在政策驱动下硬上7纳米制程,其低良率与可靠性问题,直接导致中国本土芯片设计客户承受巨大损失。

1.寒武纪科技与华为的良率之痛

先进制程的良率不足,导致中国主要的AI和手机芯片设计商面临成本失控与产品性能受限的窘境。

1.1.据报导,中国AI芯片设计商寒武纪科技生产旗下最强大处理器的良率,只有大约20%。如此低良率意味着每生产100颗芯片,就有80颗被浪费,对其成本结构和商业化能力构成毁灭性打击。

1.2.加拿大研究机构TechInsights在报告中示警,中芯为取得成果,付出了很多成本代价。这证实了中芯试图追赶先进制程的努力,在经济上是极度不合理的。

1.3.华为作为中芯的最大客户,其Ascend系列AI芯片的生产同样受困。摩根士丹利报告显示,中芯今年生产的华为Ascend系列AI芯片良率仅约30%。

2.AI芯片收入预估的断崖式腰斩

低良率直接导致中芯AI芯片业务的收入展望被大幅下修。

2.1.摩根士丹利最新修正的财测数据显示,原先预估中芯在2025至2027年AI GPU芯片收入可分别达到146,107万、212,023万、286,567万人民币。

2.2.但最新修正后仅剩58,457万、94,087万、136,082万人民币,预估收入几乎砍半。这不仅是对中芯,也是对整个中国AI芯片产业野心的一次重大挫折。

3.终端产品的性能与技术代差

良率瓶颈导致华为在终端产品上的竞争力持续落后。

3.1.华为即将推出的“Mate 80”旗舰智慧型手机,其核心行动处理器(AP)的量产制程传出受阻,恐将继续采用7纳米制程技术,而非先前预期的5纳米。

3.2.业界关系人士指出,华为手机处理器受困7纳米,其性能水准与高通(Qualcomm)三年前的Snapdragon系列芯片相类似,与当前全球领导厂商苹果、三星已搭载的3纳米,甚至准备量产的2纳米制程相比,存在约三年的技术水准差距。

3.3.尽管华为试图透过优化手机设计与制程本身来弥补,但半导体业内人士警告,制程技术的差距依然明显,如果华为在5纳米制程量产上持续遭遇困难,其智慧型手机的性能差距可能会进一步扩大,对其硬件竞争力构成了严峻的挑战。

四、日本的“战略核武器”:关键半导体材料的致命依赖

如果EUV曝光机是硬件的“卡脖子”,那么日本在半导体材料和化学品上的控制力,则是另一把随时可能落下的利刃。中国半导体产业对日本制品的依赖程度之高,一旦禁运,其冲击将是立即、全面且致命的。

1.光阻剂:中国芯片的生命线与日本的绝对垄断

光阻剂(Photoresists,或称光刻胶)是半导体制造过程中,如同“照相机胶卷”一样不可或缺的关键耗材。

1.1.绝对的市场霸主:全球五大光刻胶生产商中,日本独占四家(JSR、东京应化、信越化学和富士胶片),垄断了全球92%的市场。在最高端的EUV光阻剂领域,日本的市占率更高达95%以上。

1.2.中国的高度依赖:在中国所有的芯片生产线里,国产光刻胶的占比不到15%,超八成依赖进口,对日本的进口依赖达到64.3%。

1.3.越是先进的芯片,对日本的依赖程度就越高。目前中国国内最先进的芯片生产线,例如中芯国际和华虹半导体所使用的高端氟化氩(ArF)DUV光阻剂,几乎百分之百依赖日本供应。

2.禁运的冲击与时间线

高阶光阻剂不同于硬件设备,其保存期限仅3至6个月,极难囤货。日本一旦限制出口,将造成中国半导体产业的立即性危机。

2.1.立即冲击(0~3个月):中芯国际、华虹半导体、长江存储、长鑫存储等中国大型晶圆厂的先进工艺产线可能会被迫缩减产量,甚至可能在一个月内完全停产。先进制程良率将会急剧下降,少量库存会迅速被耗尽。

2.2.历史警示:早在2021年,信越化学因生产限制暂停向中国供货时,中芯国际的效率就曾一度下降两成。

2.3.产业预估:根据业内预估,如果日本全面断供光刻胶,中国14纳米以下先进制程将全线停摆,整体芯片产能预计暴跌三成到五成。

3.全方位的依赖:其他关键日本制品

除了光阻剂,中国半导体产业对日本的依赖是全方位的,涵盖了设备、化学品和气体:

3.1.半导体制造设备:尽管ASML的曝光机最受关注,但在蚀刻机、沉积设备、清洗机、检测机等环节,日本的Tokyo Electron(TEL)、SCREEN、Nikon等公司仍占据重要地位。中国大型晶圆厂对高阶机台、零件与原厂售后服务的依赖度极高,一旦断供,新厂扩建将立即停摆,既有机台维修备件短缺将导致产能与良率下降。

3.2.超高纯度氟化氢(HF)与关键化学品:日本公司在超高纯度化学品领域具有极强优势。高纯度氟化氢是晶圆制程中进行清洗和蚀刻的关键材料,其高纯度等级与稳定供应很难在短期内被大量替代。断供将导致制程清洗/蚀刻中断,良率崩坏,对所有晶圆厂造成非常紧张的冲击。

3.3.光罩与超高纯度气体:在光罩(Mask)的上游材料与加工、以及半导体用超高纯度气体(如Kr、Xe、Ar等)方面,日系与全球大厂亦拥有领先地位。断供将立即损害制程稳定性与良率。

韩国三星集团实际决策者、副会长李在镕曾连夜飞赴东京“跪求”出货。
韩国三星集团实际决策者、副会长李在镕曾连夜飞赴东京“跪求”出货。(图片来源:Getty Images)

五、日韩贸易战的历史回顾:李在镕的“连夜赴日”

日本对半导体材料的管制并非新鲜事,早在2019年,日韩贸易战就充分展示了日本“材料核武器”的巨大威胁与杀伤力。

1.2019年日本对韩国的制裁

2019年,日韩两国因二战强制劳动赔偿问题关系恶化,日本政府果断采取了反制措施,于7月4日起加强管制氟化聚醯亚胺、光阻剂及蚀刻气体(氟化氢)三项关键电子材料对韩国的出口门槛。

1.1.核心原料的垄断地位:日本是这三种限令原料的主要输出国,氟化聚醯亚胺与氟化氢约占全球9成的产量,光阻剂也占有7成。

1.2.材料的难以储存性:这些高阶材料难以大量储存,如氟化氢具有腐蚀性与剧毒、光阻剂则保存期限短,品质很快就会劣化。这种特性让制裁的冲击具有立即性。

2.三星的危机与李在镕的对策

日本的禁令直接冲击了韩国的半导体与显示技术产业,特别是三星、SK海力士与LG等巨头。

2.1.当时,韩国三星电子的含氟聚醯亚胺库存量仅约一个月。如果调度太迟,半导体工厂将面临被迫减产甚至停工的风险。

2.2.为了避免这场灭顶之灾,韩国三星集团实际决策者、副会长李在镕连夜飞赴东京,与有生意往来的日本材料厂商主管会面,商讨对策,几乎是以“跪求”的方式寻求日本从其他海外工厂出货到韩国。

3.韩国的教训与产业的脆弱性

日韩贸易战的冲击,导致韩国综合股指大跌,韩国经济研究院试算,日本的管制措施将造成韩国GDP减少2.2%,对韩国中小企业的调查显示,有59%表示恐难撑过六个月。

3.1.尽管这场危机唤醒了韩国的警觉意识,但三年过去,《日经亚洲》评论指出,韩国在氟化氢、光阻剂等半导体原料上,依旧没能摆脱对日本的深层依赖。

3.2.这段历史充分证明,在半导体制造的关键环节,技术和材料的壁垒是难以透过短期政策与资金投入来逾越的。日本对中国故技重施打出“光刻胶”这张牌,正基于对其战略威慑力的绝对自信。

六、结论:卡不住的世纪豪言与难以回避的审判

当前中国半导体产业的困境,绝非单纯的技术落后问题,它是一场中共体制与全球自由科技体系的本质冲突,最终导向的将是对中共“举国体制”下“自主可控”神话的一次沉重审判。

1.技术铁幕正在落下 经济规律成为最大敌人

习近平称“卡不住”的豪言,掩盖不了中国半导体产业已陷入“技术瓶颈—成本飙升—良率不佳—利润被侵蚀”恶性循环的残酷现实。中芯国际透过DUV多重曝光强行推进7纳米制程的尝试,已证明是一个在经济上难以持续的“面子工程”。低至40%的良率、6.1%的净利率,以及华为等重要客户AI芯片订单收入的腰斩,表明这场技术追赶已沦为侵蚀国家资源的巨大成本黑洞。这充分暴露了政治决策凌驾于市场与技术规律的后果,使得中国芯片在与竞争对手高达三代的技术差距面前,显得疲惫不堪。中共的“硬核实力”,在ASML与台积电的财报数据面前,如同泡沫般脆弱。

2.日本“材料核武”的威胁 暴露中国产业链的极度脆弱性

中国对日本高阶光阻剂与氟化氢等关键材料的极端依赖,是产业链上最致命的弱点。日本在2019年对韩国的成功制裁,已清晰演示了这种“精准打击”的巨大杀伤力。光阻剂与氟化氢如同晶圆生产的血液,一旦被切断,中国最先进的晶圆生产线将在一个月内面临停摆的危机。这证明了中共在战略物资上的对外依赖是结构性的,其所谓的“自主可控”在现实考验面前,如同沙滩上的城堡,不堪一击。日本将出口管制范围扩大到经济和产业领域,显示出国际社会对中共的“备战态度”越来越激进,中国半导体产业面临的挑战正从点扩大到面。

3.科技脱钩的不可逆转 最终导致“无效投资”的泡沫化

在无法取得尖端设备和材料的前提下,中共“大基金”第三期的钜额注资,极有可能演变为下一波无效投资的泡沫。正如习近平自己也承认的“形象工程、政绩工程”、“数字注水”,半导体产业的困境,是中共体制下脱离实际、急躁冒进的缩影。在无法跨越EUV与材料壁垒的情况下,再多的资金,也无法让低良率的7纳米芯片在国际市场上与3纳米、2纳米竞争。这场科技脱钩的进程是不可逆转的,它正在加速中国本土AI芯片与智慧型手机的性能与市场竞争力持续落后,终让中共口口声声说的所谓的“硬核实力”在国际社会的审视中,沦为一个充满水份与政治宣传的笑柄。中共的半导体美梦,在缺乏核心科技与关键材料的支撑下,注定是一场建立在沙滩上的工程,随时可能被一场突如其来的“禁运风暴”彻底摧毁。



来源:看中国

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